SUSS旋涂機的核心競爭優(yōu)勢在于其GYRSET®旋轉(zhuǎn)封閉蓋涂覆技術(shù)、廣泛的襯底兼容性（從碎片到300mm晶圓）以及模塊化可擴展架構(gòu)。無論是標(biāo)準(zhǔn)硅晶圓、化合物半導(dǎo)體、MEMS器件還是微光學(xué)元件，SUSS均能提供匹配的涂覆與顯影解決方案。

　　適配Mini/MicroLED、紅外光波導(dǎo)、衍射光學(xué)元件基板涂覆，滿足光學(xué)器件對膜層均勻度的高要求SUSS旋涂機的核心競爭優(yōu)勢在于其GYRSET®旋轉(zhuǎn)封閉蓋涂覆技術(shù)、廣泛的襯底兼容性（從碎片到300mm晶圓）以及模塊化可擴展架構(gòu)。無論是標(biāo)準(zhǔn)硅晶圓、化合物半導(dǎo)體、MEMS器件還是微光學(xué)元件，SUSS均能提供匹配的涂覆與顯影解決方案。

　　手動研發(fā)級：LabSpin系列

　　LabSpin系列是SUSS專為實驗室與研發(fā)（R&D）環(huán)境設(shè)計的手動旋涂/顯影系統(tǒng)，以操作靈活性、緊湊footprint和高性價比著稱。

　　2.1LabSpin6

　　適用襯底：圓形最大6英寸（150mm），方形最大4英寸（100mm），支持碎片及小尺寸樣品

　　轉(zhuǎn)速范圍：50–8,000rpm（精度±1rpm）

　　加速度：200–3,000rpm/s可調(diào)

　　核心功能：光刻膠旋涂、顯影、邊緣珠去除（EBR）、DI水沖洗、氮氣干燥

　　應(yīng)用場景：高校潔凈室、基礎(chǔ)材料研究、小批量原型驗證

　　2.2LabSpin8/LabSpin8TT/LabSpin8BM

　　適用襯底：圓形最大8英寸（200mm），方形最大150×150mm

　　轉(zhuǎn)速范圍：50–8,000rpm（精度±1rpm），200mm卡盤配置下可達(dá)8,000rpm

　　最大加速度：4,000rpm/s

　　配方容量：200個工藝配方，每配方最多40個步驟

　　半自動中試級：RCD8系列

　　SUSS旋涂機RCD8是連接研發(fā)與量產(chǎn)的關(guān)鍵橋梁，提供半自動化的精密涂覆與顯影能力，適用于日常研發(fā)工作直至小批量生產(chǎn)。

　　3.1RCD8Semi-AutomatedCoater&Developer

　　適用襯底：2英寸至200mm圓形晶圓，2英寸至150mm方形襯底

　　轉(zhuǎn)速范圍：最高10,000rpm（可選升級至12,000rpm）

　　最大加速度：7,000rpm/s

　　粘度范圍：<<1cps至55,000cps，覆蓋從低粘度溶劑到高粘度厚膠（如SU-8、聚酰亞胺）

　　經(jīng)典Legacy型號：RC8系列

　　RC8系列是SUSS早期推出的經(jīng)典旋涂平臺，至今仍在全球眾多實驗室和產(chǎn)線中服役。

　　6.1RC8-MS3

　　適用襯底：大200mm晶圓或6×6英寸方形襯底

　　核心技術(shù)：集成GYRSET®系統(tǒng)，提升膜厚均勻性并降低光刻膠消耗

　　分配系統(tǒng)：電動可編程分配臂，支持快速更換GYRSET模塊

　　機柜：不銹鋼底座機柜，堅固耐用

　　6.2RC8-MS2/RC5

　　RC8-MS2為RC8系列的前代配置，RC5為更早期的基礎(chǔ)型號

　　通常與CT62/CT60旋涂控制器配合使用

　　適用于預(yù)算有限但仍需SUSS品質(zhì)保障的入門級應(yīng)用場景

　　在半導(dǎo)體研發(fā)中心的應(yīng)用場景

　　功率器件工藝研發(fā)

　　適配碳化硅、氮化鎵寬禁帶半導(dǎo)體光刻實驗，完成厚膠鈍化層、柵極光刻膠旋涂與圖形顯影，用于車規(guī)功率芯片前期工藝驗證。

　　先進封裝預(yù)實驗

　　面向扇出型晶圓級封裝、2.5D/3D堆疊封裝研發(fā)，開展重布線層RDL光刻膠涂覆、顯影工藝調(diào)試，驗證臨時鍵合配套光刻流程。

　　MEMS傳感器試制

　　用于壓力傳感器、加速度計、微流控芯片多層光刻加工，通過可調(diào)轉(zhuǎn)速完成犧牲層、結(jié)構(gòu)層薄膜制備。

　　光電子芯片開發(fā)

　　適配Mini/MicroLED、紅外光波導(dǎo)、衍射光學(xué)元件基板涂覆，滿足光學(xué)器件對膜層均勻度的高要求版本區(qū)分：

　　LabSpin8TT（Table-Top）：臺式獨立機柜，內(nèi)置文丘里真空發(fā)生器，無需外接真空泵，尺寸僅350×446×430mm

　　LabSpin8BM（BenchModule）：濕法工作臺集成版本，可嵌入SUSSLabCluster或第

　　在半導(dǎo)體研發(fā)中心的應(yīng)用場景

　　功率器件工藝研發(fā)

　　適配碳化硅、氮化鎵寬禁帶半導(dǎo)體光刻實驗，完成厚膠鈍化層、柵極光刻膠旋涂與圖形顯影，用于車規(guī)功率芯片前期工藝驗證。

　　先進封裝預(yù)實驗

　　面向扇出型晶圓級封裝、2.5D/3D堆疊封裝研發(fā)，開展重布線層RDL光刻膠涂覆、顯影工藝調(diào)試，驗證臨時鍵合配套光刻流程。

　　MEMS傳感器試制

　　用于壓力傳感器、加速度計、微流控芯片多層光刻加工，通過可調(diào)轉(zhuǎn)速完成犧牲層、結(jié)構(gòu)層薄膜制備。

　　光電子芯片開發(fā)